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三菱IGBT模塊CM800DZ-34H
三菱CM800DZ-34H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM800DZ-34H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM800E2Z-66H
三菱CM800E2Z-66H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM800E2Z-66H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM800E6C-66H
三菱CM800E6C-66H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM800E6C-66H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM1000DU-34NF
三菱CM1000DU-34N北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM1000DU-34N。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM600E2Y-34H
三菱CM600E2Y-34H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM600E2Y-34H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM50DY-28H
三菱CM50DY-28H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM50DY-28H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM300E3U-24E
三菱CM300E3U-24E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM300E3U-24E。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊 CM300DY-34A
三菱 CM300DY-34A北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊 CM300DY-34A。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM200DY-24H
三菱CM200DY-24H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM200DY-24H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM75DU-12F
三菱CM75DU-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM75DU-12F。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM100DU-12F
三菱CM100DU-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM100DU-12F。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM150DU-12F
三菱CM150DU-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM150DU-12F。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM200DU-12F
三菱CM200DU-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM200DU-12F。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM300DU-12F
CM300DU-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM300DU-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM400DU-12F
CM400DU-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM400DU-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM400DU-12H
CM400DU-12H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM400DU-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM800DU-12H
CM800DU-12H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM800DU-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM600DY-24NF
CM600DY-24NF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM600DY-24NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM600DY-12NF
CM600DY-12NF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM600DY-12NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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安川變頻器IGBT模塊CM40YE13-12F
CM40YE13-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM40YE13-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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